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另外值得一提的是，韩国科技信息通信部3月19日表示，一个韩国研究团队已证实，一种名为“突触晶体管（synaptic transistor）”的关键组件（用于下一代人工智能芯片）在高辐射空间环境中具有潜在应用价值。据悉，上述项目在试验中取得了突破性进展：研究人员使用铟镓锌氧化物材料（IGZO）制造了突触晶体管，并通过质子加速器对其进行了测试。该晶体管经受住了33MeV高能质子束的辐照处理，所施加的辐射剂量相当于在太空中停留20年的辐射强度，超过了低轨道卫星的典型使用寿命（5至15年）。对此，韩国科技信息通信部门表示，这些结果证实了其技术能够应用于太空级别的人工智能半导体的可能性。（财联社）
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