Mechanisms of multiple V-doping in tuning mechanical and hydrogen storage properties of ZrCo alloys

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Nature, Published online: 24 February 2026; doi:10.1038/d41586-026-00514-y

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而EMIB-T则在硅桥中引入TSV通孔结构,使得信号可垂直穿越桥接芯片本体,实现更高密度、更短路径的垂直互连。